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电子元器件详细资料 » IC[16958] » EMB10T2R
型号:EMB10T2R类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式制造商:Rohm Semiconductor
封装:SOT-563,SOT-666描述:TRANS DUAL PNP 50V 100MA EMT6

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述TRANS DUAL PNP 50V 100MA EMT6
系列-
制造商Rohm Semiconductor
晶体管类型2 个 PNP 预偏压式(双)
电流_集电极(Ic)111最大222100mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
电阻器_基极(R1)111欧2222.2k
电阻器_发射极(R2)111欧22247k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)80 @ 10mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222300mV @ 250µA,5mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换250MHz
功率_最大150mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商设备封装EMT6
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市海虹微电子有限公司赵小姐086-0755-83291010 83678410
深圳山琅电子科技有限公司刘红样086-755-83229865
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